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P0402FC24C

更新时间： 2024-02-28 11:32:12
品牌 Logo 应用领域
PROTEC /
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
FLIP CHIP ARRAY

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P0402FC24C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：FLIP-CHIP
包装说明：R-PBGA-B4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.51
最小击穿电压：26.7 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBGA-B4JESD-609代码：e1
最大非重复峰值反向功率耗散：250 W元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：270极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：24 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.0Ag3.5Cu0.5)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

P0402FC24C 数据手册

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P0402FC3.3C*  
thru  
P0402FC36C*  
DEVICE CHARACTERISTICS  
MAXIMUM RATINGS @ 25°C Unless Otherwise Specified  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
PARAMETER  
Peak Pulse Power (tp = 8/20µs) - See Figure 1  
Operating Temperature  
PPP  
TA  
250  
Watts  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER LINE @ 25°C Unless Otherwise Specified  
PART  
NUMBER  
(See Note 1)  
RATED  
STAND-OFF  
VOLTAGE  
MINIMUM  
BREAKDOWN  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
CLAMPING  
VOLTAGE  
MAXIMUM  
LEAKAGE  
CURRENT  
(See Note 2)  
TYPICAL  
CAPACITANCE  
(See Fig. 2)  
(See Fig. 2)  
@ 1mA  
V(BR)  
VOLTS  
@ IP = 1A  
VC  
VOLTS  
@VWM  
ID  
µA  
@0V, 1 MHz  
VWM  
VOLTS  
@8/20µs  
VC @ IPP  
C
pF  
P0402FC3.3C  
P0402FC05C  
P0402FC08C  
P0402FC12C  
P0402FC15C  
P0402FC24C  
P0402FC36C  
3.3  
5.0  
8.0  
12.0  
15.0  
24.0  
36.0  
4.0  
6.0  
8.5  
13.3  
16.7  
26.7  
40.0  
7.0  
12.5V @ 20A  
14.7V @ 17A  
19.2V @ 13A  
29.7V @ 9.0A  
35.7V @ 7.0A  
55.0V @ 5.0A  
84.0V @ 3.0A  
75*  
10**  
10***  
1
1
1
150  
100  
75  
50  
40  
11.0  
13.2  
19.8  
25.4  
37.2  
70.0  
30  
25  
1
Note 1: All devices are bidirectional. Electrical characteristics apply in both directions.  
Note 2: *Maximum leakage current < 5µA @ 2.8V. **Maximum leakage current <500nA @ 3.3V. ***Maximum leakage current <200nA @ 5V.  
FIGURE 1  
FIGURE 2  
PEAK PULSE POWER VS PULSE TIME  
PULSE WAVE FORM  
120  
100  
10,000  
1,000  
TEST  
tf  
WAVEFORM  
PARAMETERS  
tf = 8µs  
Peak Value IPP  
80  
60  
40  
td = 20µs  
e-t  
250W, 8/20µs Waveform  
100  
10  
td = t  
IPP/2  
20  
0
0.01  
1
10  
100  
1,000  
10,000  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
td - Pulse Duration - µs  
t - Time - µs  
05107.R10 2/07  
www.protekdevices.com  
*U.S. Patent No. Des. “D456,367S”  
2
12345

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