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P0366WC08B

更新时间： 2024-01-04 10:36:15

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力特 - LITTELFUSE		栅栅极
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12页	1591K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 590000mA I(T), 800V V(DRM),

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P0366WC08B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
标称电路换相断开时间：	12 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	600 mA	最大漏电流：	30 mA
通态非重复峰值电流：	5170 A	最大通态电流：	590000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型：	SCR

P0366WC08B 数据手册

Fast turn-off thyristor types P0366WC04# & P0366WC08#

Characteristics

PARAMETER

MIN.

TYP. MAX. TEST CONDITIONS (Note 1)

UNITS

V_TM

V_T0

r_T

Maximum peak on-state voltage

Threshold voltage

1.88 I_TM=715A

1.4

Slope resistance

0.67

mΩ

V/µs

(dv/dt)_crCritical rate of rise of off-state voltage

200

V_D=80% V_DRM

I_DRM

I_RRM

V_GT

I_GT

Peak off-state current

Peak reverse current

Gate trigger voltage

Gate trigger current

Holding current

3.0

Rated V_DRM

Rated V_RRM

T_j=25°C

200 T_j=25°C

V_D=6V, I_T=1A

µC

I_H

600 T_j=25°C

Q_rr

Recovered charge

I_TM=300A, t_p=500µs, di/dt=20A/µs, V_r=50V

Q_ra

Recovered charge, 50% Chord

I_TM=300A, t_p=500µs, di/dt=20A/µs, V_r=50V,

V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=20V/µs

I_TM=300A, t_p=500µs, di/dt=50A/µs, V_r=50V,

V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=200V/µs

t_q

Turn-off time (note 2)

µs

0.095 Double side cooled

K/W

R_thJK

Thermal resistance, junction to heatsink

0.190 Single side cooled

Mounting force

Weight

3.3

5.5

W_t

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

2) The required t_q(specified with dV_dr/dt=200V/µs) is represented by an ‘#’ in the device part number. See ordering information for

details of t_qcodes.

Data Sheet. Types P0366WC04#-08# Issue K1

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August 2012

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与P0366WC08B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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