P0102DA

更新时间： 2024-01-30 02:50:13

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置可控硅整流器
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6页	180K
描述
0.8A SCRs

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P0102DA 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8504.50.80.00
风险等级：	5.44	直流电阻：	0.03 Ω
标称电感 (L)：	2.5 µH	电感器应用：	POWER INDUCTOR
电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR	功能数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	130 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大额定电流：	2.06 A
形状/尺寸说明：	RECTANGULAR PACKAGE	屏蔽：	NO
特殊特征：	PARALLEL CONNECTED	表面贴装：	YES
端子位置：	DUAL IN-LINE	端子形状：	ONE SURFACE
容差：	20%

P0102DA 数据手册

P01 Series

Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,

holding current and latching current versus

junction temperature (typical values).

Fig. 5:Relative variation of holding current versus

gate-cathode resistance (typical values).

IH[Rgk]/IH[Rgk=1kΩ]

IGT, IH, IL[Tj] / IGT, IH, IL[T] = 25°C

Tj(°C)

Rgk(kΩ)

-40 -20

80 100 120 140

Fig. 6: Relative variation of dV/dt immunity

Fig. 7: Relative variation of dV/dt immunity

versus gate-cathode resistance (typical values).

versus gate-cathode capacitance (typical values).

dV/dt[Cgk] / dV/dt[Rgk=1kΩ]

dV/dt[Rgk] / dV/dt[Rgk=1kΩ]

10.0

1.0

Rgk(kΩ)

Cgk(nF)

0.1

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Fig. 8: Surge peak on-state current versus

number of cycles.

Fig. 9: Non-repetitive surge peak on-state

current for sinusoidal pulse with width

tp < 10 ms, and corresponding value of I²t.

ITSM(A), I²t(A²s)

ITSM(A)

100.0

tp=10ms

Onecycle

10.0

1.0

Non repetitive

Tj initial=25°C

Repetitive

Tamb=25°C

tp(ms)

Numberofcycles

100 1000

0.1

0.01

10.00

1.00

0.10

4/6

1 2 345 6

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