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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> P0102DA1AA3
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P0102DA1AA3

更新时间： 2024-11-08 22:27:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
0.8A SCRs

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P0102DA1AA3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.03
Is Samacsys：N配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：75 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：5 mA
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.1 mA
通态非重复峰值电流：8 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：500 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：0.8 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

P0102DA1AA3 数据手册

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P01 Series  
®
SENSITIVE  
0.8A SCRs  
MAIN FEATURES:  
Symbol  
A
Value  
0.8  
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
K
V
/V  
400 and 600  
5 to 200  
V
DRM RRM  
I
µA  
GT  
DESCRIPTION  
Thanks to highly sensitive triggering levels, the  
P01 SCR series is suitable for all applications  
where available gate current is limited, such as  
ground fault circuit interruptors, pilot circuits in  
solid state relays, stand-by mode power supplies,  
smoke and alarm detectors.  
SOT-223  
(P01xxN)  
TO-92  
(P01xxA)  
Available in through-hole or surface mount pack-  
ages, the voltage capability of this series has been  
upgrated since its introduction, to reach 600 V.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current  
(180° conduction angle)  
TO-92  
SOT-223  
TO-92  
Tl = 55°C  
Tamb = 70°C  
Tl = 55°C  
T(RMS)  
0.8  
0.5  
A
IT  
Average on-state current  
(180° conduction angle)  
(AV)  
A
A
SOT-223  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
Tamb = 70°C  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current  
8
7
TSM  
Tj = 25°C  
²
²
2
tp = 10ms  
F = 60 Hz  
tp = 20 µs  
Tj = 25°C  
0.24  
50  
A S  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
Tj = 125°C  
A/µs  
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
I
Peak gate current  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
1
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
0.1  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
Tj  
September 2000 - Ed: 3  
1/6  
123456

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