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OPZ37GPZ

更新时间： 2024-02-01 11:59:16
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 561K
描述
OP-AMP, 220uV OFFSET-MAX, 63MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, MO-095AA, DIP-8

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OPZ37GPZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.84
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.15 µA
最小共模抑制比：100 dB标称共模抑制比：116 dB
最大输入失调电压：220 µVJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.27 mm
负供电电压上限：-22 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.57 mm最小摆率：11 V/us
标称压摆率：17 V/us子类别：Operational Amplifier
供电电压上限：22 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：63000 kHz最小电压增益：400000
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

OPZ37GPZ 数据手册

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OP37  
BINDING DIAGRAM  
1. NULL  
2. (–) INPUT  
3. (+) INPUT  
4. V–  
1
6. OUTPUT  
7. V+  
1990  
1427U  
8. NULL  
8
2
3
7
6
4
(VS = ꢂ15 V, TA = 25ꢃC for OP37N, OP37G, and OP37GR devices; TA = 125ꢃC for OP37NT and OP37GT devices,  
unless otherwise noted.)  
Wafer Test Limits  
OP37NT  
Limit  
OP37N  
Limit  
OP37GT  
Limit  
OP37G  
Limit  
OP37GR  
Limit  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Input Offset  
Voltage  
Input Offset  
Current  
Input Bias  
Current  
Input Voltage  
Range  
Common Mode  
VOS  
IOS  
IB  
Note 1  
60  
35  
200  
85  
60  
100  
75  
mV MAX  
nA MAX  
nA MAX  
V MIN  
50  
35  
50  
±60  
±10.3  
±40  
±11  
114  
±95  
±10.3  
100  
±55  
±11  
106  
±80  
±11  
100  
IVR  
Rejection Ratio CMRR  
VCM = ±11 V 108  
dB MIN  
Power Supply  
Rejection Ratio PSRR  
TA = 25∞C,  
VS = ±4 V to  
±18 V  
10  
10  
10  
10  
20  
mV/V MAX  
mV/V MAX  
TA = 125∞C,  
VS = ±4.5 V to  
±18 V  
16  
20  
Large-Signal  
Voltage Gain  
AVO  
RL ≥ 2 kW,  
VO = ±10 V  
RL ≥ 1 kW,  
VO = ±10 V  
600  
1000  
800  
500  
1000  
800  
700  
V/mV MIN  
V/mV MIN  
Output Voltage  
Swing  
VO  
Pd  
RL ≥ 2 kW  
RL ≥ 600 kW  
±11.5  
±12  
±10  
±11  
±12  
±10  
±11.5  
±10  
V MIN  
V MIN  
Power  
Consumption  
VO = 0  
140  
140  
170  
mW MAX  
NOTES  
For 25∞C characterlstics of OP37NT and OP37GT devices, see OP37N and OP37G characteristics, respectively.  
Electrical tests are performed at wafer probe to the limits shown. Due to variations in assembly methods and normal yield loss, yield after packaging is not guaranteed  
for standard product dice. Consult factory to negotiate specifications based on dice lot qualification through sample lot assembly and testing.  
REV. B  
–5–  
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