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OPB740WZ

更新时间： 2024-02-15 14:13:07

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TTELEC		传感器换能器
页数	文件大小	规格书
6页	1082K
描述
Reflective Obiect Sensor

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OPB740WZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	7.96	其他特性：	100NA DARK CURRENT
主体宽度：	5.08 mm	主体高度：	15.24 mm
主体长度或直径：	17.78 mm	间隙大小：	3.8 mm
外壳：	PLASTIC	最大测量范围（毫米）：	3.81 mm
最小测量范围（毫米）：	3.81 mm	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
信道数量：	1	最大工作电流：	40 mA
最高工作温度：	80 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出电路类型：	Transistor	最大输出电流：	2.5 mA
输出范围：	0.05mA	输出类型：	ANALOG CURRENT
最大输出电压：	30 V	封装形状/形式：	RECTANGULAR
传感器/换能器类型：	LINEAR POSITION SENSOR,PHOTOELECTRIC,DIFFUSE	子类别：	Position, Linear, Photoelectric Sensors
最大供电电压：	1.7 V	表面贴装：	NO
端接类型：	SOLDER	Base Number Matches：	1

OPB740WZ 数据手册

Output R_BEPhototransistor (See OP705 for general informaꢀon — for reference only)

V_(BR)CEO

I_CEO

Collector-Emiꢂer Breakdown Voltage

I_C= 100 µA

Collector Dark Current

100

V_CE= 10 V, I_F= 0, E_E=0

Output Phototransistor (See OP505 for general informaꢀon — for reference only)

V_(BR)CEO

V_(BR)ECO

I_CEO

Collector-Emiꢂer Breakdown Voltage

Emiꢂer-Collector Breakdown Voltage

Collector Dark Current

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

100

V_CE= 10 V, I_F= 0, E_E=0

Output Photodarlington (See OP535 for general informaꢀon — for reference only)

V_(BR)CEO

V_(BR)ECO

Collector-Emiꢂer Breakdown Voltage

Emiꢂer-Collector Breakdown Voltage

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

Collector-Emiꢂer Dark Current

I_CEO

OPB709, OPB745, OPB745WZ

µA

V_CE= 5 V, I_F= 0, E_E=0

Coupled

Saturaꢀon Voltage

OPB708

V_CE(SAT)

0.40

1.10

I_F= 40 mA, I_c= 3 µA , d = 0.15”⁽¹⁾⁽²⁾

OPB709

On-State Collector Current

OPB708

0.01

1.00

0.05

0.01

0.20

5.00

0.50

0.01

3.00

OPB709

OPB740, OPB740WZ

OPB741, OPB741W Z

OPB742, OPB742WZ

OPB743, OPB743WZ

OPB744, OPB744WZ

OPB745, OPB745WZ

OPB746WZ

2.50

0.70

2.00

26.0

2.50

0.70

V_CE= 5 V, I_F= 40mA ,

d = 0.15” (3.810 mm)

(1)(2)

I_C(ON)

OPB747WZ

OPB748WZ

Crosstalk

OPB708, OPB709,

OPB740, OPB740WZ

OPB741, OPB741WZ

OPB742, OPB742WZ

OPB743, OPB743WZ

OPB744, OPB744WZ

OPB745, OPB745WZ

OPB746WZ

10.0

1.0

20.0

25.0

1.0

(3)

I_CX

µA

V_CC= 5 V, I_F= 40mA

OPB747WZ

OPB748WZ

1.0

Notes:

The distance from the assembly face to the reﬂecꢀve surface is “d”.

Reﬂecꢀve surface is Eastman Kodak (Catalog #190 3061) neutral white test card with 90% diﬀuse reﬂectance as a reﬂecꢀng surface.

Crosstalk is the photocurrent measured with current to the input diode, no reﬂecꢀve surface and no ambient light (E_E= 0).

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