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OPA860IDR

更新时间： 2024-02-27 18:43:54
品牌 Logo 应用领域
BB 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
29页 593K
描述
Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER (OTA) and BUFFER

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OPA860IDR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.02Is Samacsys：N
模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4长度：4.9 mm
湿度敏感等级：2标称负供电电压 (Vsup)：-5 V
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-45 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.58 mm
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.91 mm
Base Number Matches：1

OPA860IDR 数据手册

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OPA860  
www.ti.com  
SBOS331–JUNE 2005  
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated  
circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation  
procedures can cause damage.  
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision  
integrated circuits may be more susceptible to damage because very small parametric changes could  
cause the device not to meet its published specifications.  
ORDERING INFORMATION(1)  
SPECIFIED  
PACKAGE  
DESIGNATOR  
TEMPERATURE  
RANGE  
PACKAGE  
MARKING  
ORDERING  
NUMBER  
TRANSPORT MEDIA,  
QUANTITY  
PRODUCT  
PACKAGE  
OPA860ID  
Rails, 75  
OPA860  
SO-8  
D
–45°C to +85°C  
OPA860  
OPA860IDR  
Tape and Reel, 2500  
(1) For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI  
web site at www.ti.com.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
Power Supply  
±6.5VDC  
See Thermal Information  
±1.2V  
Internal Power Dissipation  
Differential Input Voltage  
Input Common-Mode Voltage Range  
Storage Temperature Range: D  
Lead Temperature (soldering, 10s)  
Junction Temperature (TJ)  
ESD Rating:  
±VS  
–40°C to +125°C  
+300°C  
+150°C  
Human Body Model (HBM)(2)  
1500V  
1000V  
Charge Device Model (CDM)  
(1) Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum conditions for extended periods may  
degrade device reliability. These are stress Ratings only, and functional operations of the device at these and any other conditions  
beyond those specified is not supported.  
(2) Pin 2 > 500V HBM.  
PIN CONFIGURATION  
Top View  
SO  
1
2
3
4
8
7
6
5
IQ Adjust  
C
E
B
V+ = +5V  
+1  
Out  
In  
−
−
5V  
V
=
2
1234567...29

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