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ONET1130ECRSMT

更新时间： 2024-02-16 19:02:50

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德州仪器 - TI		ATM 异步传输模式驱动电信电信集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
64页	3255K
描述
具有双 CDR 和集成式调制器驱动器的 11.7Gbps 收发器 \| RSM \| 32 \| -40 to 100

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ONET1130ECRSMT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN, LCC32,.16SQ,16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	5A991B1
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.74
应用程序：	SONET	JESD-30 代码：	S-PQCC-N32
JESD-609代码：	e4	长度：	4 mm
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	32	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVQCCN	封装等效代码：	LCC32,.16SQ,16
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
座面最大高度：	1 mm	标称供电电压：	2.5 V
表面贴装：	YES	电信集成电路类型：	ATM/SONET/SDH TRANSCEIVER
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	4 mm
Base Number Matches：	1

ONET1130ECRSMT 数据手册

ONET1130EC

www.ti.com.cn

ZHCSDW5A –JUNE 2015–REVISED JULY 2015

DC Electrical Characteristics (continued)

Over recommended operating conditions, open loop operation, V_OUT= 2 V_PPsingle-ended, I_(BIAS)= 80 mA, unless otherwise

noted. Typical operating condition is at V_CC= 2.5 V and T_A= 25°C

PARAMETER

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

Photodiode reverse bias voltage

Photodiode fault current level

APC active, I_(PD)= 1500 μA

1.3

2.3

(2)

Percent of target I_(PD)

150%

12.5%

25%

V_(PD)

I_(MONP)/ I_(PD)with control bit PDRNG = 1X

I_(MONP)/ I_(PD)with control bit PDRNG = 01

I_(MONP)/ I_(PD)with control bit TXPDRNG = 00

With external mid-scale calibration

10%

20%

40%

15%

30%

60%

Photodiode current monitor ratio

50%

Monitor diode DMI accuracy

Bias current monitor ratio

Bias current DMI accuracy

Power supply monitor accuracy

V_CCreset threshold voltage

±10%

I_(MONB)/ I_(BIAS)(nominal 1/100 = 1%), V_(MONB)< 1.5V

0.9%

–15%

–2%

1.1%

15%

I_(BIAS)≥ 20 mA

With external mid-scale calibration

V_(CC-RST)

V_CCvoltage level which triggers power-on reset

1.8

2.1

V_(CC-

V_CCreset threshold voltage

hysteresis

100

RSTHYS)

TXFLTEN = 1, TXDMONB = 0, Fault occurs if voltage at

MONB exceeds this value

V_(MONB-FLT)Fault voltage at MONB

V_(MONP-FLT)Fault voltage at MONP

1.15

1.2

1.25

TXFLTEN = 1, TXMONPFLT = 1, TXDMONP = 0, Fault

occurs if voltage at MONP exceeds this value

(2) Assured by design over process, supply and temperature variation

1...4 5 678 9 10...64

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