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NX7002BK

更新时间： 2024-01-06 23:42:27

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	727K
描述
60 V, N-channel Trench MOSFETProduction

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NX7002BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.27 A
最大漏源导通电阻：	3.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NX7002BK 数据手册

NX7002BK

60 V, N-channel Trench MOSFET

12 May 2015

Product data sheet

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

•

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-20

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C

[1]

270

330

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

V_GS= 10 V; I_D= 200 mA; T_j= 25 °C

2.2

2.8

resistance

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and mounting pad for drain 1 cm².

[1]

12 3 4 5 6 7...16

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