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NX7002AK

更新时间： 2024-01-28 09:48:18

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恩智浦 - NXP		/
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15页	210K
描述
60 V, single N-channel Trench MOSFET

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NX7002AK 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.55
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.33 A	最大漏源导通电阻：	3.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX7002AK 数据手册

NXP Semiconductors

NX7002AK

60 V, single N-channel Trench MOSFET

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

T_sp= 25 °C

1330 mW

T_j

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

-55

-65

150

°C

T_amb

T_stg

Source-drain diode

I_Ssource current

T_amb= 25 °C

[1]

190

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

[1]

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

017aaa123

017aaa124

120

der

(%)

der

(%)

- 75

- 25

125

175

- 25

125

175

T (°C)

Fig. 1. Normalized total power dissipation as a

function of junction temperature

Fig. 2. Normalized continuous drain current as a

function of junction temperature

NX7002AK

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Product data sheet

10 July 2012

3 / 15

1 234 5 6 7...15

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