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NX7002AK

更新时间： 2024-01-01 14:39:47

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恩智浦 - NXP		/
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15页	210K
描述
60 V, single N-channel Trench MOSFET

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NX7002AK 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DFN
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.55
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.33 A	最大漏源导通电阻：	3.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX7002AK 数据手册

NX7002AK

60 V, single N-channel Trench MOSFET

10 July 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protected

•

1.3 Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_amb= 25 °C

-20

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

[1]

190

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

V_GS= 10 V; I_D= 100 mA; T_j= 25 °C

4.5

resistance

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

[1]

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