5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NTNS3C68NZ
NTNS3C68NZ PDF预览

NTNS3C68NZ

更新时间： 2024-10-03 01:10:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 71K
描述
Small Signal MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTNS3C68NZ 数据手册

 浏览型号NTNS3C68NZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTNS3C68NZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTNS3C68NZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTNS3C68NZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTNS3C68NZ的Datasheet PDF文件第6页 
NTNS3C68NZ  
Small Signal MOSFET  
12 V, 758 mA, Single N−Channel SOT−883  
(XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm Package  
Features  
• Single N−Channel MOSFET  
www.onsemi.com  
MOSFET  
• Ultra Low Profile SOT−883 (XDFN3) 1.0 x 0.6 x 0.4 mm for  
Extremely Thin Environments such as Portable Electronics  
• Low R  
Solution in Ultra Small 1.0 x 0.6 mm Package  
DS(on)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• 1.8 V Gate Drive  
0.160 W @ 4.5 V  
0.175 W @ 3.7 V  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
12 V  
0.185 W @ 3.3 V  
0.230 W @ 2.5 V  
0.440 W @ 1.8 V  
758 mA  
Applications  
• Load Switch  
• High Speed Interfacing  
• Level Shift and Translate  
• Optimized for Power Management in Ultra Portable Solutions  
N−Channel MOSFET  
D (3)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
12  
Units  
V
G (1)  
V
DSS  
V
GS  
8
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
I
758  
547  
898  
156  
mA  
A
D
T = 85°C  
A
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
S (2)  
Power Dissipa-  
tion (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
mW  
D
MARKING  
DIAGRAM  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
219  
2.2  
A
3
SOT−883  
(XDFN3)  
CASE 506CB  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
A
DM  
AC M  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
-55 to  
150  
°C  
1
J
2
T
STG  
AC = Specific Device Code  
= Date Code  
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
223  
260  
mA  
S
M
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
°C  
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
NTNS3C68NZT5G  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
SOT−883  
(Pb−Free)  
8000 /  
Tape & Reel  
Parameter  
Symbol  
Max  
800  
570  
Units  
Junction-to-Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction-to-Ambient – t ≤ 5 s (Note 1)  
R
°C/W  
θJA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
R
θJA  
1. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size,  
2
(or 2 mm ), 1 oz Cu.  
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 ms, duty cycle ≤ 2%.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
June, 2016 − Rev. 0  
NTNS3C68NZ/D  
 
123456

中文翻译

下载PDF

与NTNS3C68NZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTNS3C68NZ_16 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS3C68NZT5G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS3C94NZ ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS3C94NZ_16 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS3C94NZT5G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS41006PZ ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS41006PZTCG ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS4C69N ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS4C69N_17 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTNS4C69NTCG ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET

与NTNS3C68NZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证