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NTE6090

更新时间： 2024-02-09 23:38:10

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描述
Silicon Dual Power Rectifier

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NTE6090 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	2.26
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.76 V
最大非重复峰值正向电流：	400 A	最大输出电流：	30 A
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	45 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

NTE6090 数据手册

NTE6090

Silicon Dual Power Rectifier

Description:

The NTE6090 is a silicon dual power rectifier in a TO3P/TO218 type package designed using the

Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.

Features:

D Dual Diode Construction: Pin1 and Pin3 may be Connected for Parallel Operation at Full Range

D Guarding for Stress Protection

D Low Forward Voltage

D +150°C Operating Junction Temperature

D Guaranteed Reverse Avalanche

Absolute Maximum Ratings:

Peak Repetitive Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

Working Peak Reverse Voltage, V_RWM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

DC Blocking Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

Average Rectified Forward Current (V_R= 45V, T_C= +105°C), I_F(AV)

Per Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Per Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Peak Repetitive Forward Current, Per Diode (V_R= 45V, Square Wave, 20kHz), I_FRM. . . . . . . . 30A

Non–Repetitive Peak Surge Current, I_FSM

(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz) . . . . . . . . . . 200A

Peak Repetitive Reverse Current, Per Diode (2µs, 1kHz), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Peak Surge Junction Temperature (Forward Current Applied), T_J(pk). . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Voltage Rate of Change (V_R= 45V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Electrical Characteristics (Per Diode): (Note 1)

Parameter

Symbol

Test Conditions

i_F= 20A, T_C= +125°C

i_F= 30A, T_C= +125°C

i_F= 30A, T_C= +25°C

V_R= 45V, T_C= +125°C

V_R= 45V, T_C= +25°C

Min Typ Max Unit

Instantaneous Forward Voltage

v_F

–

0.60

0.72

0.76

Instantaneous Reverse Current

i_R

100 mA

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE6090{TO218}	NTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon
NTE6091	NTE	获取价格	Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6092	NTE	获取价格	Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6093	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Dual, Schottky Barrier
NTE6094	NTE	获取价格	Silicon Rectifier Schottky Barrier
NTE60MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 20A I(C) \| TO-3
NTE61	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applic
NTE610	NTE	获取价格	Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)
NTE6102	NTE	获取价格	Industrial Rectifier, 550A
NTE6103	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 600V V(RRM), Silicon,

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