5秒后页面跳转
NTE6091 PDF预览

NTE6091

更新时间: 2024-01-02 00:01:18
品牌 Logo 应用领域
NTE /
页数 文件大小 规格书
2页 21K
描述
Silicon Schottky Barrier Rectifier

NTE6091 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:2.14应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.5 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:250 °C最大输出电流:20 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:45 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

NTE6091 数据手册

 浏览型号NTE6091的Datasheet PDF文件第2页 
NTE6091  
Silicon Schottky Barrier Rectifier  
Features:  
D Guarding for Stress Protection  
D Low Forward Voltage  
D +125°C Operating Junction Temperature  
Maximum and Electrical Ratings:  
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Maximum Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Maximum DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V  
Maximum RMS Reverse Voltage, VR(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31V  
Maximum Average Rectified Forward Current (VR = 45V, TC = +125°C), IF(AV)  
Per Leg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Total Device . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A  
Peak Repetitive Forward Current (VR = 45V, Square Wave, 20kHz, TC = +125°C Max), IFRM . 40A  
Non–Repetitive Peak Surge Current, IFSM  
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60Hz) . . . . . . . . . . 300A  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +250°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +250°C  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (IF = 20A), VF  
TC = +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.50V  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.55V  
Maximum Instantaneous Reverse Current (rated DC voltage), IR  
TC = +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA  
TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  

与NTE6091相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE6092 NTE

获取价格

Silicon Schottky Barrier Rectifier
NTE6093 NTE

获取价格

Silicon Rectifier Dual, Schottky Barrier
NTE6094 NTE

获取价格

Silicon Rectifier Schottky Barrier
NTE60MP ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 140V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
NTE61 NTE

获取价格

Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applic
NTE610 NTE

获取价格

Voltage Variable Capacitance Diode (Tuning Diode)
NTE6102 NTE

获取价格

Industrial Rectifier, 550A
NTE6103 NTE

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 600V V(RRM), Silicon,
NTE6104 NTE

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon,
NTE6105 NTE

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 1200V V(RRM), Silicon,