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NSPM0101MUT5G

更新时间： 2024-09-25 01:15:43

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安森美 - ONSEMI		局域网测试二极管
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4页	62K
描述
Transient Voltage

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NSPM0101MUT5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PBCC-N2	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.58
Samacsys Description：	ESD Surge, 1 ch UDFN2 1.6*1.0	最小击穿电压：	12 V
最大钳位电压：	20 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	参考标准：	IEC-61000-4-2, 4-5
最大重复峰值反向电压：	10 V	最大反向电流：	0.5 µA
反向测试电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NSPM0101MUT5G 数据手册

NSPM0101

Transient Voltage

Suppressors

Features

• Protection for the following IEC Standards:

IEC61000−4−2 Level 4: 30 kV Contact Discharge

IEC61000−4−5 (Lightning) 60 A (8/20 ms)

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

www.onsemi.com

Cathode

Anode

MAXIMUM RATINGS

Rating

IEC 61000−4−2 (ESD)

Symbol

Value

Unit

MARKING

DIAGRAM

Contact

Air

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−65 to +150

°C

stg

UDFN2

CASE 517CZ

Maximum Peak Pulse Current

8/20 ms @ T = 25°C

= Specific Device Code

= Date Code

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

†

Device

NSPM0101MUT5G

Package

Shipping

UDFN2

(Pb−Free)

8000 / Tape &

Reel

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Publication Order Number:

April, 2017 − Rev. 0

NSPM0101/D

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