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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 1.5 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5719 | NJSEMI | SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5720 | NJSEMI | SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5721 | NJSEMI | SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5722 | NJSEMI | SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5723 | NJSEMI | SCRS 5AMP, PLANAR |
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| 2N5724 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 0.7065A I(T)RMS, 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-205AD |
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