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NS41256S20J/883

更新时间： 2024-01-29 23:46:34

品牌	Logo	应用领域
美国国家半导体 - NSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	58K
描述
IC 32K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28, Static RAM

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NS41256S20J/883 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.62	最长访问时间：	20 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	37.08 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.72 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

NS41256S20J/883 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

MNNS41256S20-X REV 0A0

Electrical Characteristics

AC PARAMETERS: ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Continued)

(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)

AC: Vcc=5V +10%, TA=-55 C to +125 C, Input pulse levels=Gnd to 3.0V, Input rise and fall times=5nS, Input

timing reference levels=1.5V, Output reference levels=1.5V, Output load for 12-35nS speed grades=See

fig. 1 & 2.

PIN-

NAME

SUB-

SYMBOL

tLZWE

tHZWE

PARAMETER

CONDITIONS

NOTES

MIN

MAX UNIT

GROUPS

Write Disable to

Output in Low Z

4, 5

9, 10,

Write Enable to

Output in High Z

4, 5

9, 10,

AC PARAMETERS: Capacitance

(The following conditions apply to all the following parameters, unless otherwise specified.)

AC: TA=+25 C, f=1.0Mhz

Cin

Input Capacitance

9, 10,

Cout

Output

Capacitance

9, 10,

Note 1: The device is continuously selected. All the Chip Enables are held in their active

state.

Note 2: The address is valid prior to or coincident with the latest occuring Chip Enable.

Note 3: At any given temperature and voltage condition, tHZCE is less than tLZCE.

Note 4: This parameter is sampled.

Note 5: The parameter is tested with CL=5pF as shown in Figure 2. Transition is measured

+200mV from steady state voltage.

Note 6: Vil(Min)=-3.0V for pulse width less than 20nS.

Note 7: This parameter is determined by device characterization but is not production tested.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NS41256S20J-SMD	TI	IC,SRAM,32KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC	获取价格
NS41256S35E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S45E/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	获取价格
NS41256S45J/883	TI	32KX8 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	获取价格
NS420	HUTSON	Silicon Controlled Rectifier, 20A I(T)RMS, 20000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
NS4202SCT	MICROSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, TO-258AA, TO-258,	获取价格

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