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NPDS8302

更新时间: 2024-02-14 16:57:01
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23页 554K
描述

NPDS8302 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
FET 技术:JUNCTIONJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e0元件数量:2
端子数量:8工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

NPDS8302 数据手册

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22-Dec-99 00:13 130K  
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