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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 1.2 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NPDS5911S62Z | TI | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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| NPDS5912 | ETC |
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| NPDS5912/L86Z | TI | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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| NPDS5912D84Z | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SO-8 |
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| NPDS5912L86Z | FAIRCHILD | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SO-8 |
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| NPDS5912L99Z | TI | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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