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NPDS5566L86Z

更新时间: 2024-01-30 15:26:34
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 139K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SO-8

NPDS5566L86Z 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.7
Is Samacsys:N配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大漏源导通电阻:100 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):3 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:2端子数量:8
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NPDS5566L86Z 数据手册

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