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NP84N04CHE-AZ

更新时间： 2024-10-01 20:04:07

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
8页	78K
描述
84A, 40V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN

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NP84N04CHE-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.14	雪崩能效等级（Eas）：	484 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	84 A
最大漏极电流 (ID)：	84 A	最大漏源导通电阻：	0.0052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	336 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP84N04CHE-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

NP84N04CHE,NP84N04DHE,NP84N04EHE,NP84N04KHE

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

These products are N-channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching

applications.

PART NUMBER

NP84N04CHE

NP84N04DHE

NP84N04EHE

NP84N04KHE

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

TO-263 (MP–25ZJ)

TO-263 (MP-25ZK)

FEATURES

★

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

R^DS(on)= 5.2 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

• Low C^iss: C^iss= 4410 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

±20

±84

Note1

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Note2

Drain Current (Pulse)

±336

(TO-262)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

200

°C

P^T

1.8

T^ch

175

Storage Temperature

T^stg

–55 to +175

84 / 61 / 22

70 / 372 / 484

Note3

Single Avalanche Current

I^AS

Note3

Single Avalanche Energy

E^AS

Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel

temperature.

(TO-263)

2. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 20 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 → 0 V (see Figure 4.)

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case

R^th(ch-C)

R^th(ch-A)

0.75

83.3

°C/W

Channel to Ambient

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No.

Date Published December 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14240EJ6V0DS00 (6th edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NP84N04CHE-S12-AZ	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04DHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04DHE	RENESAS	获取价格	84A, 40V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP84N04DHE-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,84A I(D),TO-262AA
NP84N04DHE-AZ	RENESAS	获取价格	84A, 40V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
NP84N04DHE-S12-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04EHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04EHE-E1-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04EHE-E2-AY	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N04KHE	NEC	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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