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NP3500SCT3G

更新时间： 2024-01-31 00:07:04
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安森美 - ONSEMI 高压
页数 文件大小 规格书
5页 52K
描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

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NP3500SCT3G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 403C-01, SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.8其他特性：UL RECOGNIZED
最大转折电压：400 V配置：SINGLE
最大断态直流电压：320 V最大维持电流：150 mA
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

NP3500SCT3G 数据手册

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NP Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristics (Note 1)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Breakover Voltage (Both Polarities)  
NP0640SxT3G  
V
V
(BO)  
77  
88  
NP0720SxT3G  
NP0900SxT3G  
NP1100SxT3G  
NP1300SxT3G  
NP1500SxT3G  
NP1800SxT3G  
NP2100SxT3G  
NP2300SxT3G  
NP2600SxT3G  
98  
130  
160  
180  
220  
240  
260  
300  
350  
400  
NP3100SxT3G  
NP3500SxT3G  
Off−State Voltage (Both Polarities)  
NP0640SxT3G  
NP0720SxT3G  
NP0900SxT3G  
NP1100SxT3G  
V
V
DRM  
58  
65  
75  
90  
NP1300SxT3G  
NP1500SxT3G  
NP1800SxT3G  
NP2100SxT3G  
NP2300SxT3G  
NP2600SxT3G  
NP3100SxT3G  
NP3500SxT3G  
120  
140  
170  
180  
190  
220  
275  
320  
Off State Current  
( V = 50 V ) Both Polarities  
I
I
2.0  
5.0  
mA  
mA  
D1  
DRM1  
DRM2  
( V = V  
) Both Polarities  
D2  
DRM  
Holding Current (Both Polarities) (Note 4) V = 500 V; I = 2.2 A  
I
H
150  
−
250  
−
−
mA  
V
S
T
On−State Voltage I = 1.0 A(pk) (PW = 300 mSec, DC = 2%)  
V
4.0  
500  
T
T
Maximum Non−Repetitive Rate of Change of On−State Current (Note 1)  
(Haefely test method, 1.0 pk < 100 A)  
di/dt  
−
−
A/mSec  
Critical Rate of Rise of Off−State Voltage  
dv/dt  
5.0  
−
−
kV/mSec  
(Linear Waveform, V = 0.8 V  
, T = 25°C)  
D
DRM  
J
CAPACITANCE  
Typ  
B
A
C
Characteristics  
(f=1.0 MHz, 1.0 V , 2 Vdc bias)  
Symbol  
Unit  
C
o
pF  
rms  
NP0640SxT3G  
NP0720SxT3G  
NP0900SxT3G  
NP1100SxT3G  
NP1300SxT3G  
NP1500SxT3G  
NP1800SxT3G  
NP2100SxT3G  
NP2300SxT3G  
NP2600SxT3G  
NP3100SxT3G  
NP3500SxT3G  
70  
70  
70  
70  
60  
60  
60  
60  
40  
40  
40  
40  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
100  
100  
60  
210  
210  
210  
210  
180  
180  
180  
180  
100  
100  
100  
100  
60  
60  
60  
1. Electrical parameters are based on pulsed test methods.  
2. di/dt must not be exceeded of a maximum of 100 A/mSec in this application.  
3. Measured under pulsed conditions to reduce heating  
4. Allow cooling before testing second polarity.  
http://onsemi.com  
2
 
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NP3500SET3G ONSEMI SILICON SURGE PROTECTOR

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NP3502 NAINA Press Fit Diode, 35A

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