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NP34N055SLE-E1-AY

更新时间： 2024-02-16 22:46:00

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瑞萨 - RENESAS		/
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9页	291K
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252AA

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NP34N055SLE-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	88 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

NP34N055SLE-E1-AY 数据手册

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NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE

Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

Figure7. DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

Pulsed

200

160

120

= −55˚C

25˚C

GS = 10 V

5 V

75˚C

150˚C

175˚C

0.1

4.5 V

0.01

VGS - Gate to Source Voltage - V

VDS - Drain to Source Voltage - V

Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

VDS=10V

Pulsed

= 175˚C

75˚C

25˚C

0.1

ID = 17 A

−55˚C

0.01

0.1

100

ID - Drain Current - A

GS - Gate to Source Voltage - V

Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE

Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

Pulsed

3.0

^Gµ^S

^D=^{S =}25^V0

2.5

GS = 10 V

5 V

2.0

1.5

1.0

4.5 V

0.5

100

1000

−50

100

150

- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - ˚C

Data Sheet D14154EJ4V0DS

1...3 4 567 8 9

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与NP34N055SLE-E1-AY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP34N055SLE-E2-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252AA	获取价格
NP3500GARLG	ONSEMI	400V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 59AA-01, 2 PIN	获取价格
NP3500GBRLG	ONSEMI	400V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 59AA-01, 2 PIN	获取价格
NP3500SAMCT3G	ONSEMI	50A, Ultra Low Capacitance TSPD	获取价格
NP3500SAT3G	ONSEMI	Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional	获取价格
NP3500SBMCT3G	ONSEMI	80A, Ultra Low Capacitance TSPD	获取价格