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NP34N055ILE-E1-AY

更新时间： 2024-02-10 01:44:18

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
9页	290K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252

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NP34N055ILE-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	88 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

NP34N055ILE-E1-AY 数据手册

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NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

140

120

100

25 50 75 100 125 150 175 200

- Case Temperature - ˚C

TC - Case Temperature - ˚C

Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY

DERATING FACTOR

Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

120

100

1000

100

100 mJ

72 mJ

D(pulse)

D(DC)

I^AS= 10 A

27 A

34 A

11 mJ

= 25˚C

Single Pulse

0.1

100

125

150

175

DS - Drain to Source Voltage - V

Starting T^ch- Starting Channel Temperature - ˚C

Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

th(ch-A) = 125 ˚C/W

th(ch-C) = 1.70 ˚C/W

100

0.1

0.01

Single Pulse

= 25˚C

10 µ

1 m

10 m

100 m

100

1000

100 µ

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D14154EJ4V0DS

1 2 3 456 7 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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