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NP34N055ILE-AZ

更新时间： 2024-01-24 19:17:47

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
7页	171K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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NP34N055ILE-AZ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	34 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	136 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NP34N055ILE-AZ 数据手册

NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE

Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

Figure7. DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

Pulsed

200

160

120

= −55˚C

25˚C

GS = 10 V

5 V

75˚C

150˚C

175˚C

0.1

4.5 V

0.01

VGS - Gate to Source Voltage - V

VDS - Drain to Source Voltage - V

Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

100

VDS=10V

Pulsed

= 175˚C

75˚C

25˚C

0.1

ID = 17 A

−55˚C

0.01

0.1

100

ID - Drain Current - A

GS - Gate to Source Voltage - V

Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE

Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT

Pulsed

3.0

^Gµ^S

^D=^{S =}25^V0

2.5

GS = 10 V

5 V

2.0

1.5

1.0

4.5 V

0.5

100

1000

−50

100

150

- Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - ˚C

Data Sheet D14154EJ4V0DS

1 2 345 6 7

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与NP34N055ILE-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NP34N055ILE-E1-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252	获取价格
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NP34N055SHE-E2-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252	获取价格
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NP34N055SLE-E2-AY	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,34A I(D),TO-252AA	获取价格