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NM93C66EM8

更新时间： 2024-09-29 18:51:59

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德州仪器 - TI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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8页	213K
描述
256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8

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NM93C66EM8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
其他特性：	MICROWIRE BUS INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	最大时钟频率 (fCLK)：	1 MHz
数据保留时间-最小值：	40	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	256 words	字数代码：	256
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256X16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
串行总线类型：	MICROWIRE	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
写保护：	SOFTWARE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM93C66EM8X	TI	获取价格	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
NM93C66EM8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C66EMT8	TI	获取价格	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM93C66EMT8	NSC	获取价格	IC 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8, Programmable ROM
NM93C66EMT8	FAIRCHILD	获取价格	Microwire Serial EEPROM
NM93C66EMT8X	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM93C66EN	NSC	获取价格	Electrically Erasable Programmable Memories
NM93C66EN	TI	获取价格	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
NM93C66EN	FAIRCHILD	获取价格	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
NM93C66LEM8	ROCHESTER	获取价格	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8