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NM93C66LZEMT8

更新时间： 2024-01-18 08:20:25
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
12页 196K
描述
256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Zero Power and Extended Voltage (2.7V to 5.5V)

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NM93C66LZEMT8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.42
其他特性：40 YEAR DATA RETENTION最大时钟频率 (fCLK)：0.25 MHz
数据保留时间-最小值：40JESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.4 mm内存密度：4096 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：8
字数：256 words字数代码：256
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：256X16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：15 ms

NM93C66LZEMT8 数据手册

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September 1996  
NM93C06LZ/C46LZ/C56LZ/C66LZ  
256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Zero  
Power and Extended Voltage (2.7V to 5.5V)  
(MICROWIRETM Bus Interface)  
General Description  
Features  
Y
Less than 1.0 mA standby current  
The NM93C06LZ/C46LZ/C56LZ/C66LZ devices are 256/  
1024/2048/4096 bits respectively, of CMOS non-volatile  
electrically erasable memory divided into 16/64/128/256  
16-bit registers. They are fabricated using National Semi-  
conductor’s floating-gate CMOS process for high reliability  
and low power consumption. These memory devices are  
available in both SO and TSSOP packages for small space  
considerations.  
Y
2.7V–5.5V operation in all modes  
Y
Typical active current of 100 mA  
Y
Direct write: no erase before program  
Y
Reliable CMOS floating gate technology  
Y
MICROWIRE compatible serial I/O  
Y
Self-timed programming cycle  
Y
Device status indication during programming mode  
The serial interface that operates these EEPROMs is MI-  
CROWIRE compatible for simple interface to standard mi-  
crocontrollers and microprocessors. There are 7 instruc-  
tions that control these devices: Read, Erase/Write Enable,  
Erase, Erase All, Write, Write All, and Erase/Write Disable.  
The ready/busy status is available on the DO pin to indicate  
the completion of a programming cycle.  
Y
40 years data retention  
6
Endurance: 10 data changes  
Y
Y
Packages available: 8-pin SO, 8-pin DIP, 8-pin TSSOP  
Block Diagram  
TL/D/11778–1  
TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.  
MICROWIRETM is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
C
1996 National Semiconductor Corporation  
TL/D/11778  
RRD-B30M96/Printed in U. S. A.  
http://www.national.com  
1234567...12

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与NM93C66LZEMT8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NM93C66LZEMT8X NSC

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 		IC 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8, Programmable ROM
NM93C66LZEMT8X TI

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 		256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
NM93C66LZEN NSC

获取价格

 		256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Zero Power and Extended Voltage (2.7V to 5.5V
NM93C66LZEN FAIRCHILD

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 		EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
NM93C66LZM8 NSC

获取价格

 		256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Zero Power and Extended Voltage (2.7V to 5.5V
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 		EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
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