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NM93C56LVM8

更新时间： 2025-09-01 22:44:47
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
12页 175K
描述
256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Extended Voltage (2.7V to 5.5V) (MICROWIRE Bus Interface)

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NM93C56LVM8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：0.25 MHz数据保留时间-最小值：40
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：MICROWIRE最大待机电流：0.00001 A
子类别：EEPROMs最大压摆率：0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：15 ms写保护：SOFTWARE
Base Number Matches：1

NM93C56LVM8 数据手册

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November 1996  
NM93C06L/C46L/C56L/C66L  
256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM  
with Extended Voltage (2.7V to 5.5V)  
(MICROWIRETM Bus Interface)  
General Description  
The  
Features  
Y
2.7V to 5.5V operation in all modes  
NM93C06L/C46L/C56L/C66L  
devices  
are  
Y
256/1024/2048/4096 bits, respectively, of non-volatile  
electrically erasable memory divided into 16/64/128/256 x  
16-bit registers (addresses). The NM93CxxL Family func-  
tions in an extended voltage operating range, requires only  
a single power supply and is fabricated using National Semi-  
conductor’s floating gate CMOS technology for high reliabili-  
ty, high endurance and low power consumption. These de-  
vices are available in both SO and TSSOP packages for  
small space considerations.  
Typical active current of 100 mA; Typical standby  
current of 1 mA  
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
No erase required before write  
Reliable CMOS floating gate technology  
MICROWIRE compatible serial I/O  
Self-timed programming cycle  
Device status during programming mode  
40 years data retention  
6
Endurance: 10 data changes  
The EEPROM Interfacing is MICROWIRE compatible for  
simple interface to standard microcontrollers and micro-  
processors. There are 7 instructions that control these de-  
vices: Read, Erase/Write Enable, Erase, Erase All, Write,  
Write All, and Erase/Write Disable. The ready/busy status  
is available on the DO pin during programming.  
Packages available: 8-pin SO, 8-pin DIP, and 8-pin  
TSSOP  
Block Diagram  
TL/D/10045–1  
TRI-STATEÉ is a registered trademark of National Semiconductor Corporation.  
MICROWIRETM is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
C
1996 National Semiconductor Corporation  
TL/D/10045  
RRD-B30M126/Printed in U. S. A.  
http://www.national.com  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NM93C56LVM8X FAIRCHILD

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 		EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SO-8
NM93C56LVMT8 NSC

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 		256-/1024-/2048-/4096-Bit Serial EEPROM with Extended Voltage (2.7V to 5.5V) (MICROWIRE Bu
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 		EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, PLASTIC, TSSOP-8
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