Datasheet > NM27LV010BV250

NM27LV010BV250

更新时间： 2024-01-14 03:33:17

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		OTP只读存储器
页数	文件大小	规格书
10页	126K
描述
OTP ROM, 128KX8, 250ns, CMOS, PQCC32,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NM27LV010BV250 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	QCCJ, LDCC32,.5X.6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.015 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

NM27LV010BV250 数据手册

March 1997

NM27LV010B

1,048,576-Bit (128k x 8) Low Voltage EPROM

tion runs, and TSOP for PC board sensitive users. The

NM27LV010B is one member of Fairchild’s growing Low

Voltage product family.

General Description

The NM27LV010B is a high performance Low Voltage Elec-

trically Programmable Read Only Memory. It is manufac-

™

tured using Fairchild’s latest 0.8µ CMOS split gate AMG

Features

EPROM technology. This technology allows the part to oper-

ate at speeds as fast as 250 ns over industrial temperatures

(−40˚C to +85˚C).

n 2.7V to 3.6V operation

n 250 ns access time

n Low current operation

This Low Voltage and Low Power EPROM is designed with

power sensitive hand held and portable battery products in

mind. This allows for code storage of firmware for applica-

tions like notebook computers, palm top computers, cellular

phones, and HDD.

— 8 mA I_CCActive Current 5 MHz (Typ)

— 15 µA I_CCStandby Current 5 MHz (Typ)

n Ultra low power operation

— 50 µW Standby Power 3.3V (Typ)

— 27 mW Active Power 3.3V (Typ)

Small outline packages are just as critical to portable appli-

cations as Low Voltage and Low Power. Fairchild Semicon-

ductor has foreseen this need and provides windowed LCC

for prototyping and software development, PLCC for produc-

n Surface mount package options

— 32-pin TSOP

— 32-pin PLCC

Block Diagram

DS012333-1

™

AMG is a trademark of WSI, Incorporated.

DS012333

www.fairchildsemi.com

PrintDate=1997/08/06 PrintTime=13:37:43 5610 ds012333 Rev. No. 3 cmserv Proof

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与NM27LV010BV250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NM27LV010BV300	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 128KX8, 300ns, CMOS, PQCC32,
NM27LV010BVE250	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 128KX8, 250ns, CMOS, PQCC32,
NM27LV010BVE300	FAIRCHILD	获取价格	OTP ROM, 128KX8, 300ns, CMOS, PQCC32,
NM27LV010C150	TI	获取价格	IC 128K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32, Programmable ROM
NM27LV010C200	TI	获取价格	IC 128K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32, Programmable ROM
NM27LV010C250	TI	获取价格	128KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
NM27LV010CE150	TI	获取价格	128KX8 UVPROM, 150ns, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
NM27LV010CE200	ETC	获取价格	x8 EPROM
NM27LV010CE250	ETC	获取价格	x8 EPROM
NM27LV010L200	ETC	获取价格	x8 EPROM

与NM27LV010BV250相关文章

采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

12
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

22
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

83
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

145

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27LV010BV250

NM27LV010BV250 技术参数

NM27LV010BV250 数据手册

与NM27LV010BV250相关器件

与NM27LV010BV250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NM27LV010BV250

NM27LV010BV250 技术参数

NM27LV010BV250 数据手册

与NM27LV010BV250相关器件

与NM27LV010BV250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？