是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.76 | 最长访问时间: | 150 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.995 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.56 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | OTP ROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.455 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NM27C040VE170 | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 512KX8, 170ns, CMOS, PQCC32, | |
NM27C040VE200 | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, | |
NM27C128 | FAIRCHILD |
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131,072-Bit (16K x 8) High Performance CMOS EPROM | |
NM27C128N100 | ETC |
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x8 EPROM | |
NM27C128N120 | ETC |
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x8 EPROM | |
NM27C128N150 | ROCHESTER |
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OTP ROM, 16KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
NM27C128N200 | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
NM27C128N90 | FAIRCHILD |
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OTP ROM, 16KX8, 90ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
NM27C128NE120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 16KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | |
NM27C128NE150 | ETC |
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x8 EPROM |