5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.969 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NM27C010QE120 | TI |
获取价格 |
128KX8 UVPROM, 120ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 |
|
| NM27C010QE120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 |
|
| NM27C010QE150 | TI |
获取价格 |
128KX8 UVPROM, 150ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 |
|
| NM27C010QE150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 |
|
| NM27C010QE200 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 |
|
| NM27C010QE200 | TI |
获取价格 |
128KX8 UVPROM, 200ns, CDIP32, WINDOWED, CERAMIC, DIP-32 |
|
| NM27C010QE70 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| NM27C010QE90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 |
|
| NM27C010QM150 | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| NM27C010T120 | FAIRCHILD |
获取价格 |
OTP ROM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, EIAJ, PLASTIC, TSOP1-32 |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
