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NJW21194G

更新时间： 2024-01-04 10:50:35

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	91K
描述
Silicon Power Transistors

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NJW21194G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CASE 340AB-01, TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	2.08	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

NJW21194G 数据手册

NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN)

There are two limitations on the power handling ability of

a transistor; average junction temperature and secondary

breakdown. Safe operating area curves indicate I - V

limits of the transistor that must be observed for reliable

operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater

dissipation than the curves indicate.

The data of Figure 13 is based on T

= 150°C; T is

J(pk)

variable depending on conditions. At high case

temperatures, thermal limitations will reduce the power than

can be handled to values less than the limitations imposed by

second breakdown.

10000

T = 25°C

1000

100

= 1 MHz)

(test)

= 1 MHz)

(test)

100

0.1

1.0

100

0.1

1.0

100

V , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

Figure 15. NJW21193G Typical Capacitance

Figure 16. NJW21194G Typical Capacitance

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

100

1000

FREQUENCY (Hz)

10000

100000

Figure 17. Typical Total Harmonic Distortion

http://onsemi.com

1 2 3 456 7

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