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NJW21194G

更新时间: 2024-02-16 17:54:50
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Silicon Power Transistors

NJW21194G 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:TO-3P包装说明:ROHS COMPLIANT, CASE 340AB-01, TO-3P, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:2.08最大集电极电流 (IC):16 A
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):8JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

NJW21194G 数据手册

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NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN)  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
PNP NJW21193G  
NPN NJW21194G  
3.0  
2.5  
1.4  
1.2  
T = 25°C  
J
I /I = 10  
T = 25°C  
J
I /I = 10  
C
B
C
B
1.0  
0.8  
2.0  
1.5  
1.0  
V
BE(sat)  
0.6  
0.4  
V
BE(sat)  
0.5  
0
0.2  
0
V
CE(sat)  
V
CE(sat)  
0.1  
1.0  
10  
100  
0.1  
1.0  
10  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
C
Figure 9. Typical Saturation Voltages  
PNP NJW21193G  
Figure 10. Typical Saturation Voltages  
NPN NJW21194G  
10  
10  
1.0  
0.1  
T = 25°C  
J
T = 25°C  
J
V
CE  
= 20 V (SOLID)  
1.0  
V
CE  
= 5 V (DASHED)  
V
CE  
= 20 V (SOLID)  
V
CE  
= 5 V (DASHED)  
0.1  
0.1  
1.0  
10  
100  
0.1  
1.0  
10  
100  
I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
C
I , COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
C
Figure 11. Typical Base-Emitter Voltage  
PNP NJW21193G  
Figure 12. Typical Base-Emitter Voltage  
NPN NJW21194G  
100  
10  
100  
10  
10 mSec  
10 mSec  
100 mSec  
100 mSec  
1 Sec  
1 Sec  
1.0  
0.1  
1.0  
0.1  
1.0  
10  
100  
1000  
1.0  
10  
V , COLLECTOR EMITTER (VOLTS)  
CE  
100  
1000  
V
CE  
, COLLECTOR EMITTER (VOLTS)  
Figure 13. Active Region Safe Operating Area  
Figure 14. Active Region Safe Operating Area  
http://onsemi.com  
4
 

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