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NJW21194G

更新时间： 2024-02-04 06:23:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Silicon Power Transistors

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NJW21194G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-3P包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 340AB-01, TO-3P, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：2.08最大集电极电流 (IC)：16 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

NJW21194G 数据手册

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NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 0)  
V
250  
-
-
-
-
-
-
Vdc  
CEO(sus)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 200 Vdc, I = 0)  
I
100  
100  
100  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
CEO  
CE  
B
Emitter Cutoff Current  
(V = 5 Vdc, I = 0)  
I
-
EBO  
CE  
C
Collector Cutoff Current  
(V = 250 Vdc, V  
I
-
CEX  
= 1.5 Vdc)  
BE(off)  
CE  
SECOND BREAKDOWN  
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased  
(V = 50 Vdc, t = 1 s (non-repetitive)  
I
Adc  
S/b  
4.0  
ꢀꢀ2.25  
-
-
-
-
CE  
(V = 80 Vdc, t = 1 s (non-repetitive)  
CE  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 8 Adc, V = 5 Vdc)  
h
FE  
20  
8
-
-
80  
-
C
CE  
(I = 16 Adc, I = 5 Adc)  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
(I = 8 Adc, V = 5 Vdc)  
V
-
-
2.2  
Vdc  
Vdc  
BE(on)  
C
CE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I = 8 Adc, I = 0.8 Adc)  
(I = 16 Adc, I = 3.2 Adc)  
V
CE(sat)  
-
-
-
-
1.4  
4
C
B
C
B
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Total Harmonic Distortion at the Output  
ꢁV = 28.3 V, f = 1 kHz, P  
T
%
HD  
= 100 W  
h
FE  
unmatched  
RMS  
LOAD  
RMS  
-
0.8  
-
ꢁ(Matched pair h = 50 @ 5 A/5 V)  
FE  
h
FE  
matched  
-
4
0.08  
-
-
-
Current Gain Bandwidth Product  
f
MHz  
pF  
T
(I = 1 Adc, V = 10 Vdc, f = 1 MHz)  
test  
C
CE  
Output Capacitance  
(V = 10 Vdc, I = 0, f = 1 MHz)  
test  
C
-
-
500  
ob  
CB  
E
PNP NJW21193G  
NPN NJW21194G  
6.5  
8.0  
V
CE  
= 10 V  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
10 V  
5 V  
V
CE  
= 5 V  
3.0  
2.0  
1.0  
4.0  
3.5  
T = 25°C  
test  
T = 25°C  
J
test  
J
f
= 1 MHz  
f
= 1 MHz  
3.0  
0
0.1  
1.0  
10  
0.1  
1.0  
I COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
10  
I COLLECTOR CURRENT (AMPS)  
C
C
Figure 1. Typical Current Gain  
Bandwidth Product  
Figure 2. Typical Current Gain  
Bandwidth Product  
http://onsemi.com  
2
1234567

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