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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JEDEC-95代码： | TO-46 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6551 | NJSEMI | NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS |
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| 2N6551 | CENTRAL | Power Transistors |
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| 2N6551N | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-202VAR |
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| 2N6551PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6551TIN/LEAD | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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| 2N6552 | CENTRAL | Power Transistors |
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