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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N2868

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2N2868

更新时间： 2024-01-17 12:12:21

品牌	Logo	应用领域
NJSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	143K
描述
NPN HIGH CURRENT HIGH SPEED SWITCH

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2N2868 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	20 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

2N2868 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2869	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3	获取价格
2N2870	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3	获取价格
2N2872	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N2875	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2876	NJSEMI	SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTOR	获取价格
2N2876	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-60, Metal, 3 Pin, TO-6	获取价格

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