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NIS1050

更新时间： 2024-02-10 17:54:29
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 集成电源管理电路
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
Protection Interface Circuit for PMICs with Integrated OVP Control

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NIS1050 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：HVSON, SOLCC6,.08,25
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.67Is Samacsys：N
可调阈值：NO模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT
JESD-30 代码：S-XDSO-N6JESD-609代码：e3
长度：2 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC6,.08,25
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.8 mm
子类别：Power Management Circuits最大供电电压 (Vsup)：30 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：4.6 V
表面贴装：YES温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：2 mm
Base Number Matches：1

NIS1050 数据手册

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NIS1050  
Protection Interface Circuit  
for PMICs with Integrated  
OVP Control  
The NIS1050 is a protection IC targeted at the latest generation of  
PMICs from the leading mobile phone and UMPC chipset vendors. It  
includes a highly stable low-current LDO and a low impedance power  
N-Channel MOSFET.  
http://onsemi.com  
MARKING  
The LDO provides a low current, five volt supply to the PMIC, and  
the NFET is the external pass element for the OVIC circuit. These  
stages combine with the internal PMIC to protect the charging circuit  
from low-impedance overvoltage conditions that can occur from  
either the AC/DC or USB supply.  
DIAGRAMS  
1
PM M  
WDFN6, 2x2  
CASE 506AN  
The NIS1050 is available in the low−profile 6-lead 2x2mm WDFN6  
surface mount package.  
PM = Specific Device Code  
= Date Code  
M
Features  
• Lower Power Dissipation and Higher Efficiency vs. Zener Shunt  
Regulator  
ORDERING INFORMATION  
†
• LDO Highly Stable across Temperature, Operates Without Bypass  
Capacitors  
Device  
NIS1050MNTBG  
Package  
Shipping  
WDFN6  
3000 / Tape & Reel  
• Wide 3-30 V Power Supply Voltage Input Range  
• Low−Profile (0.75mm) 6-Lead 2x2mm WDFN6 Package  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Typical Applications  
• Power Interface for New Generation PMICs from Leading Mobile  
Phone and UMPC Chipset Vendors  
5.30  
5.25  
5.20  
5.15  
5.10  
5.05  
5.00  
4.95  
4.90  
PMIC  
Over−Voltage  
3
OVP_SNS  
OVP_CLAMP  
OVP_CTL  
Protection  
Voltage  
Detector  
V_IN_OKAY  
2
NIS1050  
LDO  
3,7  
6,8  
V_REF_2  
5
Bandgap  
Reference  
LDO  
V_REF_1  
other  
control  
inputs  
4
2
Controller  
A) If okay, FET is closed  
B) If not okay, FET is opened  
1
4
VCHG  
VCHG  
Vbus  
USB  
4.85  
4.80  
10k  
4.7uF  
−40 −15  
10  
35  
60  
85  
110  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
Figure 1. Typical Application  
Figure 2. Output Voltage Variation with  
Temperature  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
July, 2009 − Rev. 0  
NIS1050/D  
12345

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与NIS1050相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NIS1050MNTBG ONSEMI

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 		Protection Interface Circuit for PMICs with Integrated OVP Control
NIS10NDTR NICHICON

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 		IND,ALUMINA,10NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE
NIS10NDTRF NICHICON

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 		IND,ALUMINA,10NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE
NIS10NJTR NICHICON

获取价格

 		General Purpose Inductor, 0.01uH, 5%, 1 Element, Alumina-Core, SMD
NIS10NJTRF NICHICON

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 		IND,ALUMINA,10NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE
NIS1161MTTAG ONSEMI

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 		具有用于汽车高速数据线的电池短路阻断功能的低电容 ESD 保护
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 		IND,ALUMINA,15NH,5% +TOL,5% -TOL,0603 CASE

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