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NFQ2000

更新时间: 2024-02-24 07:31:15
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 63K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 240MA I(D) | DIP

NFQ2000 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-CDIP-T14
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.61
配置:SEPARATE, 4 ELEMENTS最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.24 A最大漏极电流 (ID):0.24 A
最大漏源导通电阻:10 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-CDIP-T14JESD-609代码:e0
元件数量:4端子数量:14
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NFQ2000 数据手册

  

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