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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.61 |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NFQ2004 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
|
| NFQ2006 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 410MA I(D) | DIP |
|
| NFQ2218A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| NFQ2219A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
|
| NFQ2904A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| NFQ2905A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| NFQ3250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| NFQ3251 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| NFQ3467 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
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| NFQ3468 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
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