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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, SOP-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.05 | Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 1 µA |
| 标称共模抑制比： | 100 dB | 最大输入失调电压： | 5000 µV |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 4.9 mm | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 负供电电压上限： | -22 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 标称压摆率： | 9 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifier | 供电电压上限： | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 标称均一增益带宽： | 10000 kHz |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5532D8R2G | ONSEMI |
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Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
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| NE5532D8R2G | ROCHESTER |
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DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 10MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-8 |
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| NE5532D8-T | NXP |
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暂无描述 |
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| NE5532DE4 | TI |
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DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| NE5532DG | ONSEMI |
获取价格 |
Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
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| NE5532DG | ROCHESTER |
获取价格 |
DUAL OP-AMP, 5000uV OFFSET-MAX, 10MHz BAND WIDTH, PDSO16, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-16 |
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| NE5532DG4 | TI |
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DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| NE5532DR | TI |
获取价格 |
DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| NE5532DR2 | ONSEMI |
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Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
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| NE5532DR2G | ONSEMI |
获取价格 |
Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
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