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ND261N26KHPSA1

更新时间： 2024-01-25 08:30:28

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
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10页	232K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 260A, 2600V V(RRM), Silicon, MODULE-2

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技术参数
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ND261N26KHPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	MODULE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.67
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流：	8300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	260 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	2600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

ND261N26KHPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

ND261N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

2000

2400

2200 V

2600 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

2100

2500

2300 V

2700 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

410 A

260 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

9.500 A

8.300 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

451.000 A²s

344.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,42 V

0,7 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,68 mΩ

40 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Modul / per Module, DC

max.

0,170 °C/W

0,164 °C/W

pro Modul / per Module

max.

0,04 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

C. Drilling

date of publication: 30.04.03

revision:

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP AC / 87-08-21, K.Spec

A20/87

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