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NCE60NF019T

更新时间： 2024-04-09 18:59:06
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新洁能 - NCEPOWER 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 891K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产品。基于新洁能SJ-IV技术的基础上，在保证业界先进的超低特征导通电阻的前提下，特别优化了体二极管特性，减

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NCE60NF019T  
50  
Drain Source voltage slope，VDS ≤480 V  
dv/dt  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55...+175  
°C  
TJ,TSTG  
Table 2. Thermal Characteristic  
Parameter  
Symbol  
Value  
0.28  
62  
Unit  
Thermal Resistance，Junction-to-Case（Maximum）  
Thermal Resistance，Junction-to-Ambient （Maximum）  
RthJC  
RthJA  
°C /W  
°C /W  
Table 3. Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
On/off states  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=25℃)  
Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125℃)  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=1mA  
VDS=600V,VGS=0V  
VDS=600V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
VDS=VGS,ID=3mA  
VGS=10V, ID=54A  
600  
V
μA  
μA  
nA  
V
15  
700  
±200  
5
IDSS  
IGSS  
VGS(th)  
RDS(ON)  
3.5  
4.2  
17  
Drain-Source On-State Resistance  
Dynamic Characteristics  
Gate Resistance  
19  
mΩ  
Rg  
Clss  
Coss  
Crss  
Qg  
F=1MHZ, D-S short  
3.6  
11400  
481  
63.9  
184  
70  
Ω
Input Capacitance  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
V
VDS=50V,VGS=0V,  
F=1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
194  
Gate-Source Charge  
Qgs  
Qgd  
Vgp  
VDS=400V,ID=54A,VGS=10V  
Gate-Drain Charge  
61  
6.4  
Gate plateau voltage  
Switching times  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
60  
25  
nS  
nS  
nS  
nS  
Turn-on Rise Time  
VDD=380V,ID=54A,  
RG=3Ω,VGS=10V  
Turn-Off Delay Time  
196  
15  
Turn-Off Fall Time  
Source- Drain Diode Characteristics  
Source-drain current(Body Diode)  
Pulsed-Source-drain current(Body Diode)  
Forward on voltage  
ISD  
ISDM  
VSD  
trr  
107  
321  
1.2  
A
A
TC=25°C  
Tj=25°C,ISD=107A,VGS=0V  
1.0  
190  
1.2  
13  
V
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Peak reverse recovery current  
nS  
uC  
A
Tj=25°C,IF A,  
50  
Qrr  
Irrm  
di/dt=100A/μs  
Notes: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, RG=25Ω  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 2  
http://www.ncepower.com  
V1.2  
1234567...9

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