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NCE40P40D

更新时间： 2024-03-03 10:10:18

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	294K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE40P40D 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE40P40D

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 BV_DSSvs Junction Temperature

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 10 ID Current Derating vs Junction

Temperature

Figure 8 Safe Operation Area

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 5

v1.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE40P40K	NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE	获取价格
NCE40P70K	NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE	获取价格
NCE40T120VT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格
NCE40T120WD	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格
NCE40T60BP	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje	获取价格
NCE40TD120BT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格