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NAND01GW3B2BV1T PDF预览

NAND01GW3B2BV1T

更新时间： 2024-02-17 18:23:29
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
58页 943K
描述
Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48

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NAND01GW3B2BV1T 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.26Is Samacsys：N
最长访问时间：25000 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：15.4 mm
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：134217728 words
字数代码：128000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NAND TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND01GW3B2BV1T 数据手册

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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B  
Block Lock Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33  
Figure 19.Read Block Lock Status Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33  
Table 16. Block Lock Status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33  
Figure 20.Block Protection State Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34  
SOFTWARE ALGORITHMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35  
Bad Block Management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35  
Block Replacement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35  
Table 17. Block Failure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35  
Figure 21.Bad Block Management Flowchart . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35  
Figure 22.Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Garbage Collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Wear-leveling Algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Error Correction Code. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Figure 23.Error Detection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36  
Hardware Simulation Models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37  
Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37  
IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37  
PROGRAM AND ERASE TIMES AND ENDURANCE CYCLES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38  
Table 18. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38  
MAXIMUM RATING. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38  
Table 19. Absolute Maximum Ratings. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38  
DC AND AC PARAMETERS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39  
Table 20. Operating and AC Measurement Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39  
Table 21. Capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39  
Figure 24.DC Characteristics, 1.8V Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39  
Figure 25.Equivalent Testing Circuit for AC Characteristics Measurement. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40  
Table 22. DC Characteristics, 3V Devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41  
Table 23. AC Characteristics for Command, Address, Data Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42  
Table 24. AC Characteristics for Operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43  
Figure 26.Command Latch AC Waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44  
Figure 27.Address Latch AC Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44  
Figure 28.Data Input Latch AC Waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45  
Figure 29.Sequential Data Output after Read AC Waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45  
Figure 30.Read Status Register AC Waveform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46  
Figure 31.Read Electronic Signature AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46  
Figure 32.Page Read Operation AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47  
Figure 33.Page Program AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48  
Figure 34.Block Erase AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49  
Figure 35.Reset AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49  
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50  
Figure 36.Ready/Busy AC Waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50  
Figure 37.Ready/Busy Load Circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50  
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与NAND01GW3B2BV1T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND01GW3B2BV6 NUMONYX

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3B2BV6E NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-
NAND01GW3B2BV6F NUMONYX

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 		Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-
NAND01GW3B2BV6T NUMONYX

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 		128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48
NAND01GW3B2BZA1 STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2BZA1E STMICROELECTRONICS

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 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2BZA1E NUMONYX

获取价格

 		1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2BZA1F STMICROELECTRONICS

获取价格

 		1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GW3B2BZA1F NUMONYX

获取价格

 		1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2BZA1T NUMONYX

获取价格

 		Flash, 128MX8, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

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