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NAND01GW3B2AN6E

更新时间: 2024-01-05 20:09:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
60页 1272K
描述
128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

NAND01GW3B2AN6E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.22最长访问时间:25000 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e3/e6
长度:18.4 mm内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:1K
端子数量:48字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:2K words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/3.3 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1.2 mm
部门规模:128K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN/TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NAND TYPE宽度:12 mm
Base Number Matches:1

NAND01GW3B2AN6E 数据手册

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Contents  
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C  
Contents  
1
2
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7  
Memory array organization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12  
2.1  
Bad blocks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12  
3
Signals description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
3.1  
3.2  
3.3  
3.4  
3.5  
3.6  
3.7  
3.8  
3.9  
3.10  
Inputs/outputs (I/O0-I/O7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Inputs/outputs (I/O8-I/O15) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Address Latch Enable (AL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Command Latch Enable (CL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Chip Enable (E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Read Enable (R) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14  
Write Enable (W) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15  
Write Protect (WP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15  
Ready/Busy (RB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15  
V
DD supply voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15  
3.11 VSS ground . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15  
4
Bus operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16  
4.1  
4.2  
4.3  
4.4  
4.5  
4.6  
Command input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16  
Address input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16  
Data input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16  
Data output . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16  
Write Protect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17  
Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17  
5
6
Command set . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19  
Device operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20  
6.1  
Read memory array . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20  
6.1.1  
6.1.2  
Random read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20  
Page read . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20  
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与NAND01GW3B2AN6E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NAND01GW3B2AN6F STMICROELECTRONICS 128MX8 FLASH 3V PROM, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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NAND01GW3B2AN6F NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

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NAND01GW3B2AN6T STMICROELECTRONICS 暂无描述

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NAND01GW3B2AV1 NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48

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NAND01GW3B2AV1E NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-

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NAND01GW3B2AV1F NUMONYX Flash, 128MX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-

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