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N82S16NB

更新时间: 2024-01-26 14:55:05
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 117K
描述
IC 256 X 1 CACHE SRAM, 50 ns, PDIP16, Static RAM

N82S16NB 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:50 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:256 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:256X1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.115 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

N82S16NB 数据手册

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