5秒后页面跳转
N620CH20JOO PDF预览

N620CH20JOO

更新时间: 2024-02-09 23:29:24
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element

N620CH20JOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:500 V/us最大直流栅极触发电流:300 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:1000 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2通态非重复峰值电流:21000 A
元件数量:1端子数量:2
最大通态电流:1470000 A封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:2303.19 A
重复峰值关态漏电流最大值:100000 µA断态重复峰值电压:2000 V
重复峰值反向电压:2000 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

N620CH20JOO 数据手册

 浏览型号N620CH20JOO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N620CH20JOO的Datasheet PDF文件第3页 

与N620CH20JOO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N620CH20KOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM)
N620CH20LOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM)
N620CH24LOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2400V V(DRM), 2400V V(RRM)
N620CH26GOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM)
N620CH26HOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM)
N620CH26JOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM)
N620CH26KOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM)
N620CH28 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM)
N620CH28GOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM)
N620CH28JOO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 2303.19A I(T)RMS, 1470000mA I(T), 2800V V(DRM), 2800V V(RRM)