5秒后页面跳转
N50450D1EB1S PDF预览

N50450D1EB1S

更新时间: 2024-02-25 16:17:02
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Voltage Multiplier Diode, Silicon,

N50450D1EB1S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XXMA-X
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.92Is Samacsys:N
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VOLTAGE MULTIPLIER DIODE
JESD-30 代码:R-XXMA-X封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

N50450D1EB1S 数据手册

  

与N50450D1EB1S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
N50450D1EBC1S MICROSEMI Voltage Multiplier Diode, Silicon,

获取价格

N50450D1FB1S MICROSEMI 暂无描述

获取价格

N50450D1FBC1S MICROSEMI Voltage Multiplier Diode, Silicon,

获取价格

N50450D1FN1S MICROSEMI Voltage Multiplier Diode, Silicon,

获取价格

N50450D1TB1S MICROSEMI Voltage Multiplier Diode, Silicon,

获取价格

N50450D1TC1S MICROSEMI Voltage Multiplier Diode, Silicon,

获取价格