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N02L83W2AT5IT

更新时间： 2024-02-27 15:17:20

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安森美 - ONSEMI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	170K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 8 bit

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N02L83W2AT5IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.25 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.016 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

N02L83W2AT5IT 数据手册

N02L83W2A

Functional Block Diagram

Word

Address

Inputs

Address

Decode

Logic

A - A

Input/

Output

Mux

Page

16K Page

x 16 word

x 8 bit

Address

Inputs

Address

A - A

Decode

Logic

and

I/O - I/O

RAM Array

Buffers

CE1

CE2

Control

Logic

Functional Description

I/O₀- I/O₇

CE1

CE2

MODE

POWER

Standby¹

Write²

X²

High Z

Standby

Active

Data In

Data Out

High Z

Active

Read

Active

1. When the device is in standby mode, control inputs (WE and OE), address inputs and data input/outputs are internally isolated

from any external influence and disabled from exerting any influence externally.

2. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.

Capacitance

Item

Symbol

C_IN

Test Condition

Min

Max

Unit

V_IN= 0V, f = 1 MHz, T_A= 25^oC

Input Capacitance

I/O Capacitance

C_I/O

1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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