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N02L83W2AN5IT

更新时间: 2024-02-27 20:03:16
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 170K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 8 bit

N02L83W2AN5IT 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:STSOP1-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:11.8 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.56,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.25 mm
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:1.8 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.016 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm

N02L83W2AN5IT 数据手册

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N02L83W2A  
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)  
t
WC  
Address  
CE1  
t
WR  
t
AW  
t
CW  
CE2  
WE  
t
t
AS  
WP  
t
t
DH  
DW  
High-Z  
Data Valid  
Data In  
t
WHZ  
t
OW  
High-Z  
Data Out  
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)  
t
WC  
Address  
t
t
WR  
AW  
CE1  
t
CW  
t
(for CE2 Control, use  
inverted signal)  
AS  
t
t
WP  
WE  
t
t
DH  
DW  
Data Valid  
Data In  
t
LZ  
WHZ  
High-Z  
Data Out  
Rev. 8 | Page 7 of 10 | www.onsemi.com  

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